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美国实验室突破性激光技术 革命性提升芯片制造效率 (美国实验室事件)

最新 美国实验室突破性激光技术 革命性提升芯片制造效率 (美国实验室事件)

引言1月5日,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,宣布正在研发一种基于铥元素的拍瓦,petawatt,级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将其光源效率提升约十倍,这一突破可能为新一代超越EUV的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片,EUV光刻系统的能耗问题等离子体到EU...。

美国实验室研发的尖端激光技术 为芯片制造效率提升带来曙光 (美国实验室研究新冠病毒)

最新 美国实验室研发的尖端激光技术 为芯片制造效率提升带来曙光 (美国实验室研究新冠病毒)

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,正在研发一种基于铥元素的拍瓦级激光技术,旨在取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍,EUV光刻系统的能耗问题当前的EUV光刻系统面临着严重的能耗问题,以低数值孔径,Low,NA,和高数值孔径,High,NA,EUV光刻系统为例,其功耗分别高达1,170千瓦...。

带来前所未有的效率突破 变革芯片制造 美国实验室的创新激光技术 (带来前所未有的)

最新 带来前所未有的效率突破 变革芯片制造 美国实验室的创新激光技术 (带来前所未有的)

2023年1月5日消息,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,正在研发一种基于铥元素的拍瓦,petawatt,级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍,这一突破可能为新一代超越EUV的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片,当前,EUV光刻系统的BAT系统采...。

突破性激光技术 美国实验室创新助推芯片制造效率飙升 (突破性激光技术有哪些)

最新 突破性激光技术 美国实验室创新助推芯片制造效率飙升 (突破性激光技术有哪些)

引子1月5日,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,发布消息称,正在研发一种基于铥元素的拍瓦,petawatt,级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,将光源效率提升约十倍,EUV光刻系统面临的能耗困境EUV光刻技术是目前最先进的半导体微加工技术,但其高能耗问题一直备受关注,低数值孔径,Low,...。