光刻机是芯片制造领域的至关重要的设备，它将设计图中的电路图案转移到硅片
表面，精度要求极高。随着芯片技术的不断升级，光刻机的制造
难度也不断加大。
EUV光刻机：技术难关重重
EUV（极紫外光）光刻机是光刻机技术中最难攻克的环节之一。它
使用13.5纳米的极紫外光波长，可以更精细地刻制电路图案，这对于制造先进工艺的芯片至关重要。
EUV光刻机的制造极其复杂，技术要求极高，包括:
光源制造: EUV光刻机的核心光源发出的光波长极短，这意味着其能量极低，且容易被周围的物质吸收。因此，需要开发出高效的光源产生技术，同时解决如何高效传输光线的问题。
精密光学系统: EUV光刻机需要一套极其精密的光学系统，其中
反射镜的制造尤为重要。这些反射镜必须非常光滑且无任何瑕疵，才能确保光线准确地照射到硅片上。
中国的科研攻关：逐步破解难题
尽管EUV光刻机技术是中国长期的技术短板，但这一局面正在逐步改变。近年来，国内
高校和科研机构不断加大投入，逐步解决这一领域的瓶颈。
哈工大突破：EUV光源
2024年，哈尔滨
工业大学的科研团队传来好消息，该校赵永蓬教授的放电等
离子体极紫外光刻光源项目获得一等奖。该技术突破能够提供13.5纳米波长的极紫外光，填补了国内光源的技术空白，为EUV光刻机的制造
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